Allegro 創新柵極驅動器助力工程師實現鈦金級效率和極佳功率密度,滿足嚴苛的 AI 和邊緣計算應用需求
中國 & 美國新罕布什爾州曼徹斯特,2025年11月25日 — 全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡稱“Allegro”,納斯達克股票代碼:ALGM),與全球領先的硅基氮化鎵制造供應商英諾賽科 (Innoscience,港交所:-2577.HK) 宣布達成戰略合作,推出了一款開創性的 4.2kW 全 GaN 參考設計,該設計采用了 Allegro 的先進柵極驅動器技術和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創新解決方案有望重新定義下一代 AI 數據中心和邊緣計算的電源單元 (PSU),通過結合雙方的優勢,實現前所未有的效率和功率密度,并加速設計周期。

這款新型電源供應單元參考設計整合了英諾賽科 650V 和 150V 高性能的氮化鎵功率晶體管與 Allegro 創新的 Power-Thru™ AHV85110 隔離式柵極驅動器,后者具備自供電架構,并集成偏置電源。這種獨特組合可實現卓越的開關性能和精簡的系統設計,助力工程師達成鈦金級電源效率和超過 100 W/in³ 的功率密度,極大地簡化了系統設計,并顯著減少了無源元件的數量。
英諾賽科產品應用副總裁Larry Chen表示:“英諾賽科正在推動 GaN 在數據中心應用中的效率和性能基準。通過將我們領先的 GaN 功率器件與 Allegro 的先進驅動器技術相結合,我們提供了一個全面的電源解決方案,幫助工程師優化尺寸、提升設計效率和功率密度,并加速下一代 AI 解決方案的上市時間。”
專為功率密度與效率打造的參考設計
這款由英諾賽科開發的 4.2kW 參考設計集中展示了英諾賽科最新的氮化鎵場效應晶體管 (FET) 與 Allegro 的 AHV85110 柵極驅動器的協同應用。該設計采用全氮化鎵架構,可實現緊湊高效的功率轉換,適用于 AI 負載場景和超大規模部署需求。
Allegro AHV85110柵極驅動器通過集成偏置電源提升了開關性能。其共模電容僅為 2.2pF,比傳統解決方案低 5 至 10 倍,從而顯著降低了電磁干擾(EMI)。同時,該驅動器通過集成偏置電源,簡化了氮化鎵柵極驅動的實現方式,使驅動電路設計中的無源元件數量大幅減少 80%,系統級元件總數降低 15%,解決了高頻電源系統設計中的一大關鍵難題。同時,該驅動器的超薄封裝設計便于與頂部散熱或雙面散熱的功率封裝無縫配合,從而實現更優異的系統級熱設計性能。

AHV85110 的設計充分體現了 Allegro 的創新理念:打造基礎性技術,賦能工程師解決復雜的系統級問題。Allegro 功率產品副總裁 Vijay Mangtani 表示:“氮化鎵是數據中心領域的一項變革性技術,我們很高興英諾賽科選擇 Allegro 的柵極驅動器用于此參考設計。Allegro 的核心理念是成為客戶真正的技術合作伙伴并持續為他們提供卓越的解決方案,助力客戶實現創新并保持領先地位。我們的柵極驅動器系列產品有力地體現了這一理念,可以幫助工程師實現可觀的性能提升。”
推動氮化鎵在 AI 數據中心的應用
在對尺寸、速度和效率有極高要求的電源系統中,氮化鎵 (GaN) 正迅速成為首選方案。隨著數據中心不斷擴容以支持 AI 與邊緣計算,設計人員需要能夠減少能耗、節省空間并滿足嚴苛可持續發展目標的解決方案。
這款參考設計為電源設計人員提供了以下支持:
•采用全氮化鎵解決方案,采用磁集成設計
•功率密度比其他類似解決方案提升 30%
•通過 Allegro 的集成偏置柵極驅動器簡化設計流程
•優化熱性能和布局性能
獲取方式
這款 4.2kW 全 GaN 參考設計現已可從英諾賽科獲取,產品文檔、效率數據及設計文件可根據需求提供,請訪問下方鏈接:
如需了解 Allegro 高性能隔離式柵極驅動器產品系列如何幫助您在設計中實現更高的效率與功率密度,或希望與 Allegro進行技術合作,請訪問下方鏈接,查看我們的柵極驅動參考設計:
關于 Allegro MicroSystems
Allegro MicroSystems, Inc. 憑借三十多年在磁傳感與功率芯片領域的技術積累,通過提高效率、性能和可持續性的解決方案來推動汽車、清潔能源及工業自動化行業的發展。Allegro 始終以高質量為核心,持續推動行業變革,鞏固了我們作為“車規級”技術先驅和客戶可信賴的合作伙伴的地位。如需了解更多信息,請訪問:
https://www.allegromicro.com/en/
關于英諾賽科 Innoscience
英諾賽科是全球領先的 GaN 解決方案供應商,擁有從元器件設計、晶圓制造到封裝的一體化生態體系。公司總部位于中國,業務遍及全球,致力于為移動、工業、汽車和數據中心等各類應用場景提供高性能 GaN 電源解決方案。詳情請訪問:www.innoscience.com
責任編輯: 江曉蓓